微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究中取得創(chuàng )新性進(jìn)展

界面態(tài)問(wèn)題是III-N材料體系研究一直面臨的核心問(wèn)題,制約著(zhù)器件的規?;蛯?shí)用化。其中,深能級界面態(tài)很容易造成器件性能惡化...

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微電子所在阻變器件電流-保持特性調控研究中取得新進(jìn)展

近日,中國科學(xué)院微電子研究所劉明院士團隊及其合作者(中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所狄增峰課題組、武漢大學(xué)肖湘衡...

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微電子所建成國際硅光子平臺

基于上述技術(shù)集成,微電子所硅光子平臺將為客戶(hù)提供更為便捷、靈活的產(chǎn)品設計方案,大大提高設計效率,有利于客戶(hù)的產(chǎn)品更快地投入到市場(chǎng)。   ...

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微電子所在高可靠技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

RADECS會(huì )議是關(guān)于空間輻射及其對材料、器件和系統影響的頂級國際會(huì )議,現已成為器件抗輻射領(lǐng)域的年度學(xué)術(shù)盛會(huì )。2017年度RADECS會(huì )...

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