近日，中國科學(xué)院微電子研究所劉明院士團隊及其合作者（中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所狄增峰課題組、武漢大學(xué)肖湘衡課題組等）在陽(yáng)離子基阻變器件電流-保持特性調控上取得重要進(jìn)展。 

　　阻變存儲器是一種新型的存儲技術(shù)，具有低功耗，高存取速度，可縮小性好及易于3D集成等優(yōu)勢，被認為是下一代存儲技術(shù)的有力競爭者?；?S1R單元的3D交叉陣列構架是RRAM很具潛力的高密度集成技術(shù)方案。為保證1S1R正常工作，選擇器必須能夠提供相較于存儲器更高的驅動(dòng)電流，這與電流-保持特性經(jīng)典關(guān)系（電流越大保持特性越好）相違背。因此，如何有效調控陽(yáng)離子基阻變器件的保持特性，打破電流-保持特性經(jīng)典關(guān)系的制約，以滿(mǎn)足陽(yáng)離子基阻變器件作為存儲器/選擇器的需要，是阻變存儲器應用中亟需解決的難題。  

　　針對上述問(wèn)題，劉明院士團隊提出通過(guò)石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數量，集中化/離散化陽(yáng)離子基阻變器件中導電通路的分布來(lái)調控其穩定性。此類(lèi)調控方法也可看作是 “一根筷子輕輕被折斷，十雙筷子牢牢抱成團”的東方哲學(xué)思想的一種科學(xué)運用。該方法打破了阻變器件中電流-保持困境的經(jīng)典難題，不僅獲得了高驅動(dòng)電流（雙向500μA）、低保持特性的易失性選擇器圖1a），而且獲得了低操作電流（1μA）、高保持特性的非易失性存儲器（圖1b），這就為阻變存儲器的1S1R方案3D高密度集成奠定了基礎（圖2）。此工作是該領(lǐng)域首次在相同結構阻變器件中實(shí)現電流-保持特性的雙向調控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調控方法，也能夠移植應用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。 

　　該工作以《通過(guò)石墨烯缺陷工程打破陽(yáng)離子基阻變器件中的電流-保持困境難題》為題發(fā)表在《先進(jìn)材料》雜志上（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201705193）并被評為封面故事（inside back cover），相關(guān)專(zhuān)利已在申請。中國科學(xué)院微電子研究所博士趙曉龍、中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所博士馬駿及武漢大學(xué)肖湘衡教授為該論文共同作者，中國科學(xué)院微電子研究所劉明院士和劉琦研究員及中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所狄增峰研究員為該論文共同通訊作者。該項研究得到國家重點(diǎn)研發(fā)計劃，國家自然科學(xué)基金，北京科技人才培養項目，中國科學(xué)院戰略重點(diǎn)研究計劃等項目的資助。