近日，微電子所中國科學(xué)院硅器件技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗室在高可靠技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。

　　近年來(lái)，重點(diǎn)實(shí)驗室與微電子所先導中心、中科院新疆理化所等所內外科研單位合作，在FinFET器件、DSOI器件和VDMOS器件抗輻照性能上進(jìn)行了深入研究。研究表明，在導通偏置下的輻照過(guò)程中，體硅FinFET展現出高抗總劑量輻射能力，輻照誘發(fā)閾值電壓增大、跨導增加并改善了其亞閾值特性，引起“反向”的輻照后室溫退火效應。相同工藝下的新型DSOI器件結構將SOI抗總劑量效應能力提高了1到2個(gè)數量級，而對電離輻照效應不敏感的復合電荷平衡終端結構，提高了電荷平衡VDMOS器件的抗總劑量輻照能力，這兩種結構為高劑量下器件總劑量輻照加固提供了解決方案。

　　基于上述研究成果，重點(diǎn)實(shí)驗室向2017 RADECS投送的3篇學(xué)術(shù)研究論文均被錄用，并受邀參加了2017年10月在瑞士日內瓦舉辦的2017 RADECS國際學(xué)術(shù)大會(huì )。其中，重點(diǎn)實(shí)驗室助理研究員楊玲的論文“Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs”受邀作了大會(huì )報告。這是中國科學(xué)院的科研團隊受邀在該國際會(huì )議上作大會(huì )報告，是本次大會(huì )受邀作大會(huì )報告的中國科研團隊。重點(diǎn)實(shí)驗室助理研究員黃楊、副研究員宋李梅的論文“An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure”和“A Novel Combined Charge Balance Termination Structure Insensitive to Ionizing Radiation Effect”在會(huì )議期間進(jìn)行了海報展示并同與會(huì )代表進(jìn)行了深入交流。

　　RADECS會(huì )議是關(guān)于空間輻射及其對材料、器件和系統影響的頂級國際會(huì )議，現已成為器件抗輻射領(lǐng)域的年度學(xué)術(shù)盛會(huì )。2017年度RADECS會(huì )議，中國學(xué)術(shù)文章數量位列第3名，表示中國在該學(xué)術(shù)領(lǐng)域的科研成果受到國際同行的廣泛關(guān)注和認可，中國在這領(lǐng)域的相關(guān)影響力在不斷地增強！